CSPDファミリーは、SFIが先進の技術力を駆使して開発した高性能チップ型サージ保護デバイス（CSPD）です。
CSPDは、優れた電気特性（ブレークダウン電圧、非線形α値、漏れ電流Ir、電気容量の集中度とばらつきの少なさ）を持ち、市場で一般的に使用されているGDT、MOV、TVSが抱える課題を克服します。超低クランプ電圧と高速応答により、より高い保護性能を実現し、繰り返しのサージ電流にも耐えられます。
【内部構造】
【動作原理】
SFIのプロジェクトチームは、酸化亜鉛バリスタ材料の新たな製造概念を世界に先駆けて提案しました。5年以上にわたる研究により、その科学性と将来性が実証され、多様な酸化亜鉛セラミック材料の開発に成功。多くはCSPDシリーズとして量産され、国際基準を超える性能を実現しています。さらに、低温焼結・純銀内電極・無毒溶剤の使用により、環境負荷を大幅に低減。貴金属（Pt、Pd）の使用削減にも貢献しています。
1.新しいコンセプトの提案2.低温焼結と純銀内電極の採用（世界初）
3.高電位勾配を持つ酸化亜鉛バリスタセラミック材料（世界最高レベル）
4.高通流エネルギー対応の酸化亜鉛バリスタセラミック材料（世界最高通流能力）
5.高温環境でも使用可能な酸化亜鉛バリスタセラミック材料（世界最高の動作温度）
エネルギー消費を削減し、グリーンな職場環境を創出し、地球環境を守る
【特長】
- 小型・大エネルギー対応で高密度回路に最適
- 高速な過電圧保護応答
- 複数回のサージ吸収が可能
- 低漏れ電流
- 双方向保護対応
- 高温環境に強い特性
- 無極性設計によりレイアウトが容易
- 量産しやすい構造
- ロット検査による高い品質信頼性
SGDファミリーは、革新的なSGD封止技術によって開発された製品群です。内部配線を施した2枚のPCBを用いてウェハの特性を引き出し、TVSと同等の特性を備えた過電圧保護素子を実現。優れた通電能力と、より簡便な組み立てを可能にしています。
本製品は電子機器の回路上に並列接続されて保護機能を発揮します。USB、HDMI、RF端子などの信号ラインにおけるESD保護をはじめ、3C製品、産業用データ制御、車載通信、医療機器など幅広い用途に対応しています。
【内部構造】
【原理説明】
SGDの次世代半導体封止プロセスは、SFIが独自に開発した最新技術です。従来のワイヤーボンディング方式ではなく、無鉛ハンダ（クリッパーボンド）による面接触方式を採用することで、電極の接触面積を拡大し、瞬時電流耐性の向上と同時に、生産性や歩留まりの向上、作業時間の短縮も実現しました。
同一プロセスを活用して、TVSダイオード、スイッチングダイオード、ショットキーダイオードをSMDパッケージ化し、従来のリード型部品からの置き換えを可能に。これにより、部品サイズを縮小し、より薄型・小型・軽量なシステム開発ニーズに応えます。
【特長】
- 小型ながら大エネルギー対応で高密度回路に最適
- 高速な過電圧保護応答
- SGD技術により、ワイヤー接触から面接触に変更しエネルギー吸収能力を強化
- 低漏れ電流
- 双方向保護機能
- 超低容量設計
- 無極性設計によりレイアウトが容易
- 量産性が高く、スケーラブルな供給が可能
- ロットごとの厳格な検査により、品質が安定
- サイズ・電圧・電流・容量など多様な仕様から選択可能
USB、HDMI、RF端子などのESD保護、コンシューマー製品、車載電子機器の信号保護などに最適です。
MLVファミリーは、SMDタイプの多層バリスタ（MLV：Multilayer Varistor）で、ESD／サージ保護（USB、HDMI、RF端子など）、雷サージ防護、産業制御、車載電子機器などの分野で広く使用されています。
【内部構造】
【原理説明】
酸化亜鉛の結晶粒が高インピーダンスのビスマス富相に囲まれ、非オーム接触（non-ohmic contact）を形成。この構造により、通常電圧下では高いインピーダンスを維持し、漏れ電流を抑えて省エネ効果を発揮します。突波電圧が臨界点を超えると、電流が急増しデバイスが崩壊（ブレークダウン）を起こし、インピーダンスが急低下（0.5〜3Ω）し、電流をグラウンドへと導いてサージから回路を保護します。
【特長】
- 小型設計で高密度回路に最適
- 高速な過電圧応答
- 複数回のサージ（ESD、雷など）を吸収可能
- 低漏れ電流
- 双方向保護機能
- 優れた温度安定性
- 低コストかつ量産対応
- 無極性設計により実装しやすい
- サイズ、電圧、電流、容量など多様な仕様から選択可能
