CSPD家族是SFI利用先進的專業技術能力，
開發出高性能壓敏電阻（Chip Surge Protection Device）。
CSPD極佳的電氣特性(崩潰電壓值、 非線性α值、漏電流Ir值、電容值分佈集中且離散度小) ，不僅能解決目前市場上所使用的放電管(GDT)或是壓敏電阻(MOV)或是半導體抑制器(TVS)無法克服的缺點外，更因CSPD具有極低的抑制電壓及快速的反應速度，不僅提供更佳的保護效果，更能承受多次浪湧電流的衝擊。
【內部結構】
【原理說明】
SFI專案中心各項研究工作率先提出氧化鋅變阻材料製備的新思想，經過五年多來的不懈努力，基本證實了該新思想的科學性與前瞻性，並在該新思想指導下，在上述諸多方面取得了突破性的進展，研發出多種性能的氧化鋅陶瓷材料，大部份該新材料已製成多系列的氧化鋅變阻元件並已交付客戶使用，其主要性能指標除了能與國際大廠接軌外，更超越其目前水平，在另一方面還實現了氧化鋅陶瓷的低溫燒結和使用純銀作內電極及可選用無毒性溶劑，同時大幅減少用量，為保護地球環境和減少使用白金、鈀金等貴金屬作出了應有的貢獻，其具體表現可分為下述幾個階段 :
1. 新思想的提出2. 低溫燒結與使用純銀內電極（世界首創）
3. 高電位梯度的氧化鋅變阻陶瓷材料（全世界最高水平）
4. 高通流能量的氧化鋅變阻陶瓷材料（全世界最高通流能力）
5. 高使用溫度的氧化鋅變阻陶瓷材料（全世界操作最高溫度）
減少能源消耗，營造綠色工作場所、保護地球環境
【優點】
1. 體積小，能量大，比同類型產品有更大能量適用於高密度電路
2. 快速響應過電壓保護
3. 可吸收多次浪湧
4. 低漏電流
5. 雙向保護
6. 高溫特性佳
7. 無極性設計易於佈局
8. 易於批量生產
9. 大批次檢測，品質有保障
SGD 家族是開發創新SGD封裝技術方式 是利用兩片PCB(內層有佈線路) ，將Wafer特性引出，製造出相容且與TVS特性相同的過電壓保護器，具有更佳通流能力及更方便組裝優勢。
產品是並聯接在電子裝置線路上加以防護， 常用於訊號線上 ESD 保護（如USB、HDMI、RF接口)、3C產業、工業數據控制、汽車電子處距傳輸、醫療電子等應用。
【內部結構】
【原理說明】
SGD創新型新世代半導體封裝製程為SFI最新研發出的技術，其優勢在相同晶圓基礎下，將電極的引出方式從傳統打線(Wire Bond)工序，改由無鉛錫膏(Clipper Bond)焊接方式將電性引出，不僅可大幅提高生產良率及縮短工時外，而且因電極焊接面積加大，在瞬間耐電流能力也相對提高。
利用相同製程可以將TVS Diode , Switching Diode , Schottky Diode 加以封裝成貼片型取代傳統軸狀樣式，可以降低零件所占空間，符合系統產品的開發朝更輕薄短小趨勢進行。
【優點】
1. 體積小，能量大，比同類型產品有更大能量適用於高密度電路
2. 快速響應過電壓保護
3. 利用SGD技術將Wire Bond線接觸改成面接觸吸收更多能量
4. 低漏電流
5. 雙向保護
6. 超低電容值
7. 無極性設計易於佈局
8. 易於批量生產
9. 大批次檢測，品質有保障
10.多種規格包括尺寸及電壓、電流、電容值、可供選擇
SGD 家族產品常用於 ESD保護（如USB、HDMI、RF接口）、消費類產品、汽車電子訊號保護等應用。
MLV家族SMD壓敏電阻（Multilayer Varistor, MLV）常用於 ESD / Surge保護（如USB、HDMI、RF接口）、雷擊防護、工業控制、汽車電子等應用。
【內部結構】
【原理說明】
氧化鋅晶粒包圍著高阻抗的富鉍相，並產生特殊的非甌姆接觸(non-ohmic contact)，低電壓時(Normal condition)此結構維持很高的阻抗時的低漏電流達到省電的功效。當有突波電壓產生，電壓超過臨界點時，電流產生崩潰(over voltage occur)現象，產品阻抗快速下降至0.5~3Ω，將電流引導接地達到突波保護的功能。
【以下優點】
1. 體積小適用於高密度電路
2. 快速響應過電壓保護
3. 可吸收多次浪湧（ESD、雷擊等）
4. 低漏電流
5. 雙向保護
6. 良好的溫度穩定性
7. 低成本、易於批量生產
8. 無極性設計易於佈局
9. 多種規格包括尺寸及電壓、電流、電容值可供選擇
